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SUD09P10-195-GE3

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SUD09P10-195-GE3

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Numero di parte SUD09P10-195-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Scheda dati SUD09P10-195-GE3 Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Specifiche SUD09P10-195-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Scheda dati SUD09P10-195-GE3 Scheda dati
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25��C8.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1055pF @ 50V
Vgs (massimo)��20V
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs195 mOhm @ 3.6A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252, (D-Pak)
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica SUD09P10-195-GE3 Datasheet

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