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SUD35N10-26P-GE3

hot SUD35N10-26P-GE3

SUD35N10-26P-GE3

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Numero di parte SUD35N10-26P-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Scheda dati

SUD35N10-26P-GE3 Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche SUD35N10-26P-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 12V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)8.3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs26 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252, (D-Pak)
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica SUD35N10-26P-GE3

SUD35N10-26P-GE3 Packaging

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Packing
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SUD35N10-26P-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SUD35N10-26P-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SUD35N10-26P-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SUD35N10-26P-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SUD35N10-26P-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SUD35N10-26P-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    (1)Inform us within 90 days
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D# V36:1790_09215450

 Vishay Intertechnologies

N-Channel 100 V MOSFET

 0

SUD40N10-25-E3

D# V72:2272_14140541

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SUD35N10-26P-GE3

D# SUD35N10-26P-GE3

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: SUD35N10-26P-GE3)

RoHS: Compliant
 0

SUD40N10-25-E3

D# SUD40N10-25-E3

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Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Tape and Reel (Alt: SUD40N10-25-E3)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SUD35N10-26P-GE3

D# SUD35N10-26P-GE3

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SUD35N10-26P-GE3)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SUD40N10-25-E3

 Vishay BLH

1035
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SUD35N10-26P-GE3

 Vishay Intertechnologies

MOSFET 100V 35A 83W 26mohm @ 10V

 12000

SUD40N10-25-E3

 Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 100 V 0.025 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SUD40N10-25-E3

 Vishay Intertechnologies

N-Channel 100V 40A(Tc) 3V @ 250uA 25mohms @ 40A,10V 136W(Tc) TO-252-2(DPAK) MOSFET RoHS

 4015
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SUD35N1026PGE3

 Vishay Intertechnologies

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SUD40N10-25-E3

D# SUD40N10-25-E3CT-ND

 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 40A TO252

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SUD35N10-26P-GE3

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 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 35A TO252

 1250
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 4560

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 VBsemi Electronics Co Ltd

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 5260
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MOSFET, N, TO-252

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
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 Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant
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RoHS: Compliant
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SUD35N1026PGE3

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 2380
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SUD40N10-25-E3

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OEM/CM Immediate delivery

 4300
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MOSFET 100V 35A 83W 26mohm @ 10V

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MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD35N10-26P-GE3

RoHS: Compliant
 167
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SUD35N10-26P-GE3

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 Vishay Siliconix

2000

SUD40N10-25-E3

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 Vishay Siliconix

Single N-Channel 100 V 0.025 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252

 38000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SUD35N10-26P-GE3.

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Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:35A, On Resistance Rds(on):0.026ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4.4V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 2000
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SUD35N10-26P-GE3

D# 41R3809

 Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 100V, 35A, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:35A, On Resistance Rds(on):0.026ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

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MOSFET, N CHANNEL, 100V, 40A, TO-252-3, FULL REEL, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:40A, On Resistance Rds(on):0.02ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 2000
Container: TAPE & REEL - FULL
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SUD40N10-25-E3

D# NS-SUD40N10-25-E3

 Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

 1729

SUD35N10-26P-GE3

D# NS-SUD35N10-26P-GE3

 Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SUD40N10-25-E3

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MOSFET Transistor, N-Channel, TO-252AA

 828
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SUD35N1026PGE3

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OEM/CM ONLY

 2016
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SUD40N10-25-E3

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 4315
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD35N10-26P-GE3

pbFree: Pb-Free
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SUD35N10-26P-GE3

 Vishay Intertechnologies

MOSFET 100V 35A 83W 26mohm @ 10V

pbFree: Pb-Free
 0
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SUD35N10-26P-GE3

D# 35638198

 Vishay Intertechnologies

N-Channel 100 V MOSFET

 0

SUD40N10-25-E3

D# 36323641

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SUD40N10-25-E3

 Vishay Huntington

MOSFET N-CH 100V 40A TO252

 900
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SUD40N10-25-E3

D# 1470147RL

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MOSFET, N, TO-252

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Min Qty: 1
Container: Reel
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