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SUD50N10-18P-GE3

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Numero di parte SUD50N10-18P-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK
Scheda dati

SUD50N10-18P-GE3 Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche SUD50N10-18P-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8.2A (Ta), 50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2600pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3W (Ta), 136.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs18.5 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252, (D-Pak)
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica SUD50N10-18P-GE3

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  • 2. How does Heisener guarantee that SUD50N10-18P-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SUD50N10-18P-GE3 price and inventory displayed accurate?
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