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SUM60N02-3M9P-E3

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SUM60N02-3M9P-E3

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Numero di parte SUM60N02-3M9P-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 20V 60A D2PAK
Scheda dati

SUM60N02-3M9P-E3 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche SUM60N02-3M9P-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5950pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3.75W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.9 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263 (D2Pak)
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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  • 2. How does Heisener guarantee that SUM60N02-3M9P-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SUM60N02-3M9P-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SUM60N02-3M9P-E3?
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Single N-Channel 20 V 0.0039 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-263

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