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| Numero di parte | SUP25P10-138-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 100V 16.3A TO220AB |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-220-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.672 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-220-3 |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16.3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 73.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8 mOhm @ 6A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
 
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SUP25P10-138-GE3 D# SUP25P10-138-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 16.3A TO220AB |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SUP25P10-138-GE3 D# 2400412 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, P CH, -100V, -16.3A, TO-220AB-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SUP25P10138GE3 |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1190 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SUP25P10138GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
1016 |
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+86-755-83210559 ext. 813
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