Name: SUP40N10-30-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUP40N10-30-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (112 reviews)

SUP40N10-30-GE3

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Numero di parte	SUP40N10-30-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB
Scheda dati	SUP40N10-30-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche SUP40N10-30-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	38.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.1W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica SUP40N10-30-GE3

SUP40N10-30-GE3 Packaging

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