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SUP57N20-33-E3

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SUP57N20-33-E3

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Numero di parte SUP57N20-33-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Scheda dati

SUP57N20-33-E3 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche SUP57N20-33-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C57A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5100pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3.75W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs33 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica SUP57N20-33-E3

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  • 2. How does Heisener guarantee that SUP57N20-33-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SUP57N20-33-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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MOSFET, N-CH, 200V, 57A, TO-220AB

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570
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12138
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MOSFET 200V 57A 300W

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608
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PowerField-EffectTransistor,15AI(D),100V,0.13ohm,1-Element,N-Channel,Silicon,Metal-oxideSemiconductorFET,TO-220AB

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MOSFET, N-CH, 200V, 57A, 175DEG C, 300W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:200V, Continuous Drain Current Id:57A, On Resistance Rds(on):0.027ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
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153
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N-Channel MOSFET, 57 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SUP57N20-33-E3, TU

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Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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