Name: SUP60N06-12P-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUP60N06-12P-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (107 reviews)

SUP60N06-12P-GE3

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Numero di parte	SUP60N06-12P-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Scheda dati	SUP60N06-12P-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche SUP60N06-12P-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1970pF @ 30V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.25W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica SUP60N06-12P-GE3

SUP60N06-12P-GE3 Packaging

SUP60N06-12P-GE3 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SUP60N06-12P-GE3

D# 70026457

Vishay Siliconix

Mosfet, Power, 60V, 60A, Power, 100W, R(ds), 0.012ohm, Halogen-Free, TO-220AB

RoHS: Not Compliant

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Vishay Semiconductors

- Tape and Reel

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SUP60N06-12P-GE3

D# SUP60N06-12P-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

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VBsemi Electronics Co Ltd

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D# NS-SUP60N06-12P-GE3

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