Name: SUP85N10-10P-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUP85N10-10P-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (99 reviews)

SUP85N10-10P-GE3

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Numero di parte	SUP85N10-10P-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Scheda dati	SUP85N10-10P-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche SUP85N10-10P-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	85A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4660pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.75W (Ta), 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica SUP85N10-10P-GE3

SUP85N10-10P-GE3 Packaging

SUP85N10-10P-GE3 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# V36:1790_07797096

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

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MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB

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D# SUP85N10-10P-GE3-ND

Vishay Siliconix

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VBsemi Electronics Co Ltd

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