Name: TP0202K-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: TP0202K-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (93 reviews)

TP0202K-T1-GE3

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Numero di parte	TP0202K-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3
Scheda dati	TP0202K-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche TP0202K-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	385mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	31pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica TP0202K-T1-GE3

TP0202K-T1-GE3 Packaging

TP0202K-T1-GE3 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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TP0202K-T1-GE3

Vishay Siliconix

P CHANNEL MOSFET, -30V, 385mA, TO-236, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-385mA, Drain Source Voltage Vds:-30V, On Resistance Rds(on):1.4ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, Threshold Voltage Vgs:-2V , RoHS Compliant: Yes

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D# TP0202K-T1-GE3-ND

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MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3

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MOSFET, P CH, 30V, 0.385A, SOT23

RoHS: Compliant

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