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| Numero di parte | UPA2739T1A-E2-AY |
|---|---|
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 85A 8-SON |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-PowerVDFN |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.128 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Renesas Electronics America |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-PowerVDFN |
| ECAD |
|
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 85A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 153nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6050pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 23A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HVSON (5.4x5.15) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
UPA2739T1A-E2-AY |
Renesas Electronics Corporation |
MOSFET P-CH 30V 85A 8-SON |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
UPA2739T1A-E2-AY D# UPA2739T1A-E2-AY-ND |
Renesas Electronics Corporation |
MOSFET P-CH 30V 85A 8HVSON |
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86-755-83210559-843
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