Name: UPA2765T1A-E2-AY
Brand: Renesas Electronics America
SKU: UPA2765T1A-E2-AY
Availability: InStock
Rating: 5 (76 reviews)

UPA2765T1A-E2-AY

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Numero di parte	UPA2765T1A-E2-AY
Produttore	Renesas Electronics America
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
Scheda dati	UPA2765T1A-E2-AY Scheda dati
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino	6.032 piece(s)
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Specifiche UPA2765T1A-E2-AY

Produttore	Renesas Electronics America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	152nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6550pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 mOhm @ 32A, 4.5V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-HVSON (5.4x5.15)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN

Scheda tecnica UPA2765T1A-E2-AY

UPA2765T1A-E2-AY Packaging

UPA2765T1A-E2-AY FAQ

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3. Are the UPA2765T1A-E2-AY price and inventory displayed accurate?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of UPA2765T1A-E2-AY.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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UPA2765T1A-E2-AY

Renesas Electronics Corporation

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