Name: UPA2820T1S-E2-AT
Brand: Renesas Electronics America
SKU: UPA2820T1S-E2-AT
Availability: InStock
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UPA2820T1S-E2-AT

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Numero di parte	UPA2820T1S-E2-AT
Produttore	Renesas Electronics America
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8HVSON
Scheda dati	UPA2820T1S-E2-AT Scheda dati
pacchetto	8-PowerWDFN
ECAD
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Specifiche UPA2820T1S-E2-AT

Produttore	Renesas Electronics America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerWDFN
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	22A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2330pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.5W (Ta), 16W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.3 mOhm @ 22A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN

Scheda tecnica UPA2820T1S-E2-AT

UPA2820T1S-E2-AT Packaging

UPA2820T1S-E2-AT FAQ

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3. Are the UPA2820T1S-E2-AT price and inventory displayed accurate?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of UPA2820T1S-E2-AT.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Produttore

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Azione

UPA2820T1S-E2-AT

D# UPA2820T1S-E2-AT

Renesas Electronics Corporation

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin HWSON T/R - Tape and Reel (Alt: UPA2820T1S-E2-AT)

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Azione

UPA2820T1S-E2-AT

D# UPA2820T1S-E2-AT-ND

Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 30V 8HVSON

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Renesas Electronics Corporation

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