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ZDS020N60TB

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Numero di parte ZDS020N60TB
Produttore Rohm Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 600V 8SOIC
Scheda dati

ZDS020N60TB Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche ZDS020N60TB

ProduttoreRohm Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C630mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds310pF @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica ZDS020N60TB

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  • 2. How does Heisener guarantee that ZDS020N60TB is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the ZDS020N60TB price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of ZDS020N60TB?
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