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ZXMN10B08E6TC

ZXMN10B08E6TC

ZXMN10B08E6TC

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Numero di parte ZXMN10B08E6TC
Produttore Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
Scheda dati

ZXMN10B08E6TC Scheda dati

pacchetto SOT-23-6
ECAD
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Specifiche ZXMN10B08E6TC

ProduttoreDiodes Incorporated
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-23-6
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.3V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds497pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs230 mOhm @ 1.6A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-26
Pacchetto / casoSOT-23-6

Scheda tecnica ZXMN10B08E6TC

ZXMN10B08E6TC Packaging

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Sealing
Packing
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ZXMN10B08E6TC FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that ZXMN10B08E6TC is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the ZXMN10B08E6TC. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including ZXMN10B08E6TC on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of ZXMN10B08E6TC products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the ZXMN10B08E6TC price and inventory displayed accurate?
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Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26

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