Name: ZXMN6A09DN8TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A09DN8TC
Availability: InStock
Rating: 5 (190 reviews)

ZXMN6A09DN8TC

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Numero di parte	ZXMN6A09DN8TC
Produttore	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC
Scheda dati	ZXMN6A09DN8TC Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche ZXMN6A09DN8TC

Produttore	Diodes Incorporated
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24.2nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1407pF @ 40V
Potenza - Max	1.25W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP

Scheda tecnica ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC Packaging

ZXMN6A09DN8TC FAQ

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We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the ZXMN6A09DN8TC. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including ZXMN6A09DN8TC on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of ZXMN6A09DN8TC products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the ZXMN6A09DN8TC we delivered, we will accept the replacement or return of the ZXMN6A09DN8TC only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of ZXMN6A09DN8TC.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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