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2N7000,126

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Numero di parte 2N7000,126
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92
Scheda dati

2N7000,126 Scheda dati

pacchetto TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
ECAD
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Specifiche 2N7000,126

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C300mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds40pF @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)830mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3
Pacchetto / casoTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Scheda tecnica 2N7000,126

2N7000,126 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2N7000,126 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the 2N7000,126 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of 2N7000,126?
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