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2N7002BKT,115

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2N7002BKT,115

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Numero di parte 2N7002BKT,115
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416
Scheda dati

2N7002BKT,115 Scheda dati

pacchetto SC-75, SOT-416
ECAD
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Specifiche 2N7002BKT,115

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSC-75, SOT-416
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C290mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)260mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-75
Pacchetto / casoSC-75, SOT-416

Scheda tecnica 2N7002BKT,115

2N7002BKT,115 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that 2N7002BKT,115 is from the original manufacturer or authorized agents?
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