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2SA1313-O(TE85L,F)

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Numero di parte 2SA1313-O(TE85L,F)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PNP 50V 500MA TO236-3
Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
A magazzino 58.560 piece(s)
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Specifiche 2SA1313-O(TE85L,F)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie-
Transistor TypePNP
Corrente - Collector (Ic) (Max)500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max)100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 100mA, 1V
Potenza - Max200mW
Frequenza - Transizione200MHz
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreS-Mini

2SA1313-O(TE85L,F) Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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2SA1313-O(TE85L,F) FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2SA1313-O(TE85L,F) is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the 2SA1313-O(TE85L,F). All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including 2SA1313-O(TE85L,F) on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of 2SA1313-O(TE85L,F) products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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Toshiba America Electronic Components

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Toshiba America Electronic Components

Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz

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