Name: 2SA1930(Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SA1930-Q-M
Availability: InStock
Rating: 5 (133 reviews)

2SA1930(Q,M)

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Numero di parte	2SA1930(Q,M)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Scheda dati	2SA1930(Q,M) Scheda dati
pacchetto	TO-220-3 Full Pack
ECAD
A magazzino	2.560 piece(s)
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Specifiche 2SA1930(Q,M)

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
pacchetto	TO-220-3 Full Pack
ECAD
Serie	-
Transistor Type	PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max)	2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	180V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 100mA, 1A
Corrente - Limite del collettore (max)	5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 100mA, 5V
Potenza - Max	2W
Frequenza - Transizione	200MHz
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220NIS

Scheda tecnica 2SA1930(Q,M)

2SA1930(Q,M) Packaging

2SA1930(Q,M) FAQ

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