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2SC2229(TE6SAN1F,M

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Numero di parte 2SC2229(TE6SAN1F,M
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
Scheda dati

2SC2229(TE6SAN1F,M Scheda dati

pacchetto TO-226-3, TO-92-3 Long Body
ECAD
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Specifiche 2SC2229(TE6SAN1F,M

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
pacchettoTO-226-3, TO-92-3 Long Body
ECAD
Serie-
Transistor TypeNPN
Corrente - Collector (Ic) (Max)50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max)100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 5V
Potenza - Max800mW
Frequenza - Transizione120MHz
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92MOD

Scheda tecnica 2SC2229(TE6SAN1F,M

2SC2229(TE6SAN1F,M Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that 2SC2229(TE6SAN1F,M is from the original manufacturer or authorized agents?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 2SC2229(TE6SAN1FM-ND

Toshiba America Electronic Components

TRANS NPN 50MA 150V TO226-3

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Qualità certificata

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