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2SK1119(F)

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Numero di parte 2SK1119(F)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
Scheda dati

2SK1119(F) Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche 2SK1119(F)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds700pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8 Ohm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

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2SK1119(F) FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2SK1119(F) is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the 2SK1119(F). All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including 2SK1119(F) on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of 2SK1119(F) products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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