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2SK2995(F)

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Numero di parte 2SK2995(F)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN
Scheda dati

2SK2995(F) Scheda dati

pacchetto TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
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Specifiche 2SK2995(F)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs132nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5400pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs68 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P(N)IS
Pacchetto / casoTO-3P-3, SC-65-3

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2SK2995(F) is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the 2SK2995(F). All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including 2SK2995(F) on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of 2SK2995(F) products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the 2SK2995(F) price and inventory displayed accurate?
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