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2SK3662(F)

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Numero di parte 2SK3662(F)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
Scheda dati
pacchetto TO-220-3 Full Pack
ECAD
A magazzino 3.408 piece(s)
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Specifiche 2SK3662(F)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3 Full Pack
ECAD
SerieU-MOSIII
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C35A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs91nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5120pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.5 mOhm @ 18A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220NIS
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack

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Packing
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2SK3662(F) FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2SK3662(F) is from the original manufacturer or authorized agents?
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