Name: BSH112,235
Brand: NXP
SKU: BSH112-235
Availability: InStock
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BSH112,235

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Numero di parte	BSH112,235
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
Scheda dati
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche BSH112,235

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	300mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	40pF @ 10V
Vgs (massimo)	±15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-236AB (SOT23)
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

BSH112,235 Packaging

BSH112,235 FAQ

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BSH112,235

D# BSH112,235

NXP Semiconductors

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB T/R - Bulk (Alt: BSH112,235)

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BSH112,235

NXP Semiconductors

1263

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Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB

4000

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BSH112235

Philips Semiconductors

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

666641

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BSH112235

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

27879

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BSH112-235

D# NS-BSH112-235

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

5616

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BSH112,235

NXP Semiconductors

Now Nexperia BSH112 - Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A, 60V, N-Channel MOSFET, TO-236AB

RoHS: Compliant

4000

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BSH112235

NXP Semiconductors

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