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BUK652R3-40C,127

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BUK652R3-40C,127

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte BUK652R3-40C,127
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche BUK652R3-40C,127

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs260nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds15100pF @ 25V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

BUK652R3-40C,127 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK652R3-40C,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail - Bulk (Alt: BUK652R3-40C,127)

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Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

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Rochester Electronics LLC

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NXP Semiconductors

Now Nexperia BUK652R3-40C - 120A, 40V, 0.0036ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-220AB

RoHS: Compliant
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