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BUK652R6-40C,127

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BUK652R6-40C,127

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Numero di parte BUK652R6-40C,127
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche BUK652R6-40C,127

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs199nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds11334pF @ 25V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

BUK652R6-40C,127 Packaging

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Packing
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BUK652R6-40C,127 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK652R6-40C,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BUK652R6-40C,127. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BUK652R6-40C,127 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BUK652R6-40C,127 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BUK652R6-40C,127 price and inventory displayed accurate?
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MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

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Rochester Electronics LLC

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NXP Semiconductors

Now Nexperia BUK652R6-40C - 100A, 40V, 0.0026ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-220AB

RoHS: Compliant
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