Name: BUK652R7-30C,127
Brand: NXP
SKU: BUK652R7-30C-127
Availability: InStock
Rating: 5 (164 reviews)

BUK652R7-30C,127

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Numero di parte	BUK652R7-30C,127
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	3.456 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche BUK652R7-30C,127

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	114nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6960pF @ 25V
Vgs (massimo)	±16V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	204W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

BUK652R7-30C,127 Packaging

BUK652R7-30C,127 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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D# 568-7494-5-ND

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB

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BUK652R730C127

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

4609

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BUK652R730C127

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

4013

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Now Nexperia BUK652R7-30C - 100A, 30V, 0.0051ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-220AB

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