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BUK653R7-30C,127

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BUK653R7-30C,127

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte BUK653R7-30C,127
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche BUK653R7-30C,127

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs78nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4707pF @ 25V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.9 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

BUK653R7-30C,127 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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BUK653R7-30C,127 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK653R7-30C,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# 2156-BUK653R7-30C127-ND

Rochester Electronics LLC

PFET, 100A I(D), 30V, 0.0072OHM,

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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5957
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OEM/CM ONLY

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Now Nexperia BUK653R7-30C - 100A, 30V, 0.0062ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-220AB

RoHS: Compliant
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NXP Semiconductors

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