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BUK753R1-40B,127

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Per Riferimento Soltanto

Numero di parte BUK753R1-40B,127
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche BUK753R1-40B,127

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs94nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6808pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.1 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

BUK753R1-40B,127 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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BUK753R1-40B,127 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK753R1-40B,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Trans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube - Bulk (Alt: BUK753R1-40B,127)

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D# 2156-BUK753R1-40B127-NX-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

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Rochester Electronics LLC

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NXP Semiconductors

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Now Nexperia BUK753R1-40B - 75A, 40V, 0.0031ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-220AB

RoHS: Compliant
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