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BUK754R7-60E,127

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BUK754R7-60E,127

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte BUK754R7-60E,127
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche BUK754R7-60E,127

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs82nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6230pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.6 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

BUK754R7-60E,127 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK754R7-60E,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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NXP Semiconductors

Transistor MOSFET N-Channel 60V 100A 3-Pin TO-220AB - Bulk (Alt: BUK754R7-60E,127)

0
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D# 2156-BUK754R7-60E127-NX-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB

1957
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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2251
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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

102
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Now Nexperia BUK754R7-60E - Power Field-Effect Transistor, SIL3P

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