Name: BUK952R3-40E,127
Brand: NXP
SKU: BUK952R3-40E-127
Availability: InStock
Rating: 5 (74 reviews)

BUK952R3-40E,127

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Numero di parte	BUK952R3-40E,127
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	6.448 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche BUK952R3-40E,127

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	87.8nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	13160pF @ 25V
Vgs (massimo)	±10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

BUK952R3-40E,127 Packaging

BUK952R3-40E,127 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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NXP Semiconductors

MOS Power Transistors LV (< 200V) - Bulk (Alt: BUK952R3-40E,127)

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D# 2156-BUK952R3-40E127-NX-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

142

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BUK952R340E127

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

163

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BUK952R340E127

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

434

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NXP Semiconductors

Now Nexperia BUK952R3-40E - Power Field-Effect Transistor, SIL3P

RoHS: Compliant

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