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EPC2045ENGRT

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Numero di parte EPC2045ENGRT
Produttore EPC
Descrizione TRANS GAN 100V BUMPED DIE
Scheda dati
pacchetto Die
A magazzino 198.594 piece(s)
Prezzo unitario $ 2,7943 *
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Specifiche EPC2045ENGRT

ProduttoreEPC
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoDie
SerieeGaN?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaGaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C16A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds685pF @ 50V
Vgs (massimo)+6V, -4V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs7 mOhm @ 16A, 5V
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDie
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