Name: IS42S32160B-75ETLI
Brand: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
SKU: IS42S32160B-75ETLI
Availability: InStock
Rating: 5 (152 reviews)

IS42S32160B-75ETLI

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Numero di parte	IS42S32160B-75ETLI
Produttore	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrizione	IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 86TSOP
Scheda dati	IS42S32160B-75ETLI Scheda dati
pacchetto	86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
ECAD
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Specifiche IS42S32160B-75ETLI

Produttore	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Categoria	Circuiti integrati (CI) - Memoria
pacchetto	86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
ECAD
Serie	-
Tipo di memoria	Volatile
Formato di memoria	DRAM
Tecnologia	SDRAM
Dimensione della memoria	512Mb (16M x 32)
Interfaccia di memoria	Parallel
Frequenza di clock	133MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	-
Tempo di accesso	5.5ns
Tensione - Fornitura	3 V ~ 3.6 V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	86-TSOP II

Scheda tecnica IS42S32160B-75ETLI

IS42S32160B-75ETLI Packaging

IS42S32160B-75ETLI FAQ

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3. Are the IS42S32160B-75ETLI price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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IS42S32160B-75ETLI

D# IS42S32160B-75ETLI

Integrated Silicon Solution Inc

DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 16Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II - Bulk (Alt: IS42S32160B-75ETLI)

RoHS: Compliant

IS42S32160B-75ETLI-TR

D# IS42S32160B-75ETLI-TR

Integrated Silicon Solution Inc

DRAMs Parts and Modules - Tape and Reel (Alt: IS42S32160B-75ETLI-TR)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IS42S32160B-75ETLI

Integrated Silicon Solution Inc

IC SDRAM 512M 133MHZ 86TSOP

IS42S32160B-75ETLI-TR

Integrated Silicon Solution Inc

IC SDRAM 512M 133MHZ 86TSOP

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IS42S32160B-75ETLI

D# IS42S32160B-75ETLI-ND

Integrated Silicon Solution Inc

IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II

IS42S32160B-75ETLI-TR

D# IS42S32160B-75ETLI-TR-ND

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IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II

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