| Numero di parte | IXTQ200N06P |
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| Produttore | IXYS |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 4.848 piece(s) |
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| Produttore | IXYS |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ECAD |
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| Serie | PolarHT? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 714W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 400A, 15V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
| Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
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SIT1602BC-83-18S-74.250000Y | SiTime, -20 TO 70C, 7050, 50PPM, 1.8V, 7, -, PolarHT? | Visualizza |
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CGH602T350X4L | Cornell Dubilier Electronics (CDE), CAP ALUM 6000UF 350V SCREW, Radial, Can - Screw Terminals, PolarHT? | Visualizza |
 
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SI5486DU-T1-E3 | Vishay Siliconix, MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET, 8-PowerVDFN, PolarHT? | Visualizza |
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FW-11-03-G-D-220-180-A-P-TR | Samtec Inc., .050'' BOARD SPACERS, -, PolarHT? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTQ200N06P |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTQ200N06P D# IXTQ200N06P-ND |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 60V 200A TO3P |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTQ200N06P D# NS-IXTQ200N06P |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
6356 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTQ200N06P |
IXYS Corporation |
RFQ |
8669 |
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86-755-83210559-843
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