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JAN1N5416US

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Numero di parte JAN1N5416US
Produttore Microsemi Corporation
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Scheda dati
pacchetto B, Axial
ECAD
A magazzino 4.256 piece(s)
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Specifiche JAN1N5416US

ProduttoreMicrosemi Corporation
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchettoB, Axial
ECAD
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/411
Tipo diodoStandard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)100V
Corrente - Rettificato medio (Io)3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.5V @ 9A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 100V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoB, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore-
Temperatura operativa - Giunzione-65°C ~ 175°C

JAN1N5416US Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

JAN1N5416US FAQ

  • 1. How to order JAN1N5416US on Heisener?
    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that JAN1N5416US is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the JAN1N5416US. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including JAN1N5416US on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of JAN1N5416US products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the JAN1N5416US price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of JAN1N5416US?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N5416US

D# V37:1799_16596115

 Sensitron Semiconductors

Rectifier Diode Switching 100V 3A 150ns 2-Pin MELF-B

RoHS: Not Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

1N5416USJAN

D# JAN1N5416US

 Microchip Technology Inc

Diode Fast Recovery Rectifier 100V 3A 2-Pin MELF - Bag (Alt: JAN1N5416US)

RoHS: Not Compliant
 0

JAN1N5416US

D# JAN1N5416US

 Sensitron Semiconductors

Diode Fast Recovery Rectifier 100V 3A 2-Pin MELF - Bag (Alt: JAN1N5416US)

RoHS: Not Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N5416US

 Microsemi Corporation

FAST RECTIFIER (100-500NS) (FR) - Bulk

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N5416US

D# 1086-2087-ND

 Microchip Technology Inc

DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N5416US

 Sensitron Semiconductors

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 4790

1N5416USJAN

 Sensitron Semiconductors

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 4542
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N5416US/TR

 Microchip Technology Inc

Rectifier

RoHS: Compliant
 0

JAN1N5416US

 Microchip Technology Inc

Rectifier

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N5416US

D# MCHP00000058103

 Microchip Technology Inc

Rectifier

 0

JAN1N5416US/TR

D# MCHP00000058104

 Microchip Technology Inc

Rectifier

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N5416US

D# NS-JAN1N5416US

 Microsemi Corporation

OEM/CM ONLY

 1103

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