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JAN1N6622

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Numero di parte JAN1N6622
Produttore Microsemi Corporation
Descrizione DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL
Scheda dati
pacchetto A, Axial
ECAD
A magazzino 6.624 piece(s)
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Specifiche JAN1N6622

ProduttoreMicrosemi Corporation
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchettoA, Axial
ECAD
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/585
Tipo diodoStandard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)660V
Corrente - Rettificato medio (Io)2A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.6V @ 2A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr500nA @ 660V
Capacità @ Vr, F10pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoA, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore-
Temperatura operativa - Giunzione-65°C ~ 150°C

JAN1N6622 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

JAN1N6622 FAQ

  • 1. How to order JAN1N6622 on Heisener?
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  • 2. How does Heisener guarantee that JAN1N6622 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the JAN1N6622. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including JAN1N6622 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of JAN1N6622 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the JAN1N6622 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of JAN1N6622?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the JAN1N6622 we delivered, we will accept the replacement or return of the JAN1N6622 only when all of the below conditions are fulfilled:
    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of JAN1N6622.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6622

D# V37:1799_09131722

 Microchip Technology Inc

Rectifier Diode Switching 600V 1.2A 45ns 2-Pin Case A Bag

RoHS: Not Compliant
 0

JAN1N6622US

D# V37:1799_09131723

 Microchip Technology Inc

Rectifier Diode Switching 600V 1.2A 45ns 2-Pin A-MELF Bag

RoHS: Not Compliant
 0

1N6622JAN

D# V37:1799_16422266

 Sensitron Semiconductors

Rectifier Diode Switching 600V 1.2A 30ns 2-Pin Case 106

RoHS: Not Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

1N6622/TRJAN

D# JAN1N6622/TR

 Microchip Technology Inc

UFR,FRR - Tape and Reel (Alt: JAN1N6622/TR)

RoHS: Not Compliant
 0

1N6622USJAN

D# JAN1N6622US/TR

 Microchip Technology Inc

Diode Ultra Fast Recovery Rectifier 600V 1.2A 2-Pin MELF-A - Tape and Reel (Alt: JAN1N6622US/TR)

RoHS: Not Compliant
 0

JAN1N6622

D# JAN1N6622

 Sensitron Semiconductors

Diode Ultra Fast Recovery Rectifier 600V 1.2A 2-Pin - Bulk (Alt: JAN1N6622)

RoHS: Not Compliant
 0

JAN1N6622US

D# JAN1N6622US

 Sensitron Semiconductors

Diode Ultra Fast Recovery Rectifier 600V 1.2A 2-Pin MELF-A - Bag (Alt: JAN1N6622US)

RoHS: Not Compliant
 0

1N6622JAN

D# JAN1N6622

 Microchip Technology Inc

UFR,FRR (Alt: JAN1N6622)

RoHS: Not Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

1N6622USJAN

D# JAN1N6622US

 Microchip Technology Inc

Diode Ultra Fast Recovery Rectifier 600V 1.2A 2-Pin MELF-A (Alt: JAN1N6622US)

RoHS: Not Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6622

 Microsemi Corporation

ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Bulk

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6622U

D# 1086-19960-ND

 Microsemi Corporation

DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

 0

JAN1N6622

D# 1086-2301-ND

 Microchip Technology Inc

DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

 0

JAN1N6622US

D# 1086-19963-ND

 Microchip Technology Inc

DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6622

 Microsemi Corporation

Incoming

 41
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6622U

 Microchip Technology Inc

OEM/CM ONLY

 18100

JAN1N6622

 Microchip Technology Inc

OEM/CM ONLY

 146

JAN1N6622US

 Microchip Technology Inc

OEM/CM ONLY

 325
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6622

 Microwave Semiconductor

OEM/CM Immediate delivery

 5000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6622/TR

 Microchip Technology Inc

Rectifier

RoHS: Compliant
 0

JAN1N6622US

 Microchip Technology Inc

Rectifier

RoHS: Compliant
 0

JAN1N6622

 Microchip Technology Inc

Rectifier

RoHS: Compliant
 0

JAN1N6622US/TR

 Microchip Technology Inc

Rectifier

RoHS: Compliant
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6622US/TR

D# MCHP00000059327

 Microchip Technology Inc

Rectifier

 0

JAN1N6622US

D# MCHP00000059326

 Microchip Technology Inc

Rectifier

 0

JAN1N6622/TR

D# MCHP00000059325

 Microchip Technology Inc

Rectifier

 0

JAN1N6622

D# MCHP00000059324

 Microchip Technology Inc

Rectifier

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6622

D# NS-JAN1N6622

 Microsemi Corporation

OEM/CM ONLY

 1109
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6622

 Microsemi Corporation

IN stock Immediate delivery

 5015

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