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JAN1N6629US

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Numero di parte JAN1N6629US
Produttore Microsemi Corporation
Descrizione DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
Scheda dati
pacchetto SQ-MELF, E
ECAD
A magazzino 6.784 piece(s)
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Specifiche JAN1N6629US

ProduttoreMicrosemi Corporation
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchettoSQ-MELF, E
ECAD
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/590
Tipo diodoStandard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)880V
Corrente - Rettificato medio (Io)1.4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.4V @ 1.4A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr2µA @ 880V
Capacità @ Vr, F40pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSQ-MELF, E
Pacchetto dispositivo fornitoreD-5B
Temperatura operativa - Giunzione-65°C ~ 150°C

JAN1N6629US Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

JAN1N6629US FAQ

  • 1. How to order JAN1N6629US on Heisener?
    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that JAN1N6629US is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the JAN1N6629US. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including JAN1N6629US on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of JAN1N6629US products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the JAN1N6629US price and inventory displayed accurate?
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    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the JAN1N6629US we delivered, we will accept the replacement or return of the JAN1N6629US only when all of the below conditions are fulfilled:
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6629US

D# V37:1799_16597116

Sensitron Semiconductors

Rectifier Diode Switching 800V 2.8A 50ns 2-Pin MELF-B

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

1N6629USJAN

D# JAN1N6629US

Microchip Technology Inc

Diode Standard Recovery Rectifier 800V 2.8A 2-Pin MELF - Bag (Alt: JAN1N6629US)

RoHS: Not Compliant
0

JAN1N6629US

D# JAN1N6629US

Sensitron Semiconductors

Diode Standard Recovery Rectifier 800V 2.8A 2-Pin MELF - Bag (Alt: JAN1N6629US)

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6629US

D# 1086-19990-ND

Microsemi Corporation

DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6629US

Microchip Technology Inc

Rectifier

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6629US

D# MCHP00000059351

Microchip Technology Inc

Rectifier

0

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