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JAN1N6641US

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Numero di parte JAN1N6641US
Produttore Microsemi Corporation
Descrizione DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
Scheda dati
pacchetto SQ-MELF, B
ECAD
A magazzino 5.488 piece(s)
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Specifiche JAN1N6641US

ProduttoreMicrosemi Corporation
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchettoSQ-MELF, B
ECAD
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/609
Tipo diodoStandard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)50V
Corrente - Rettificato medio (Io)300mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1V @ 300mA
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)5ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr100nA @ 50V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSQ-MELF, B
Pacchetto dispositivo fornitoreD-5B
Temperatura operativa - Giunzione-65°C ~ 175°C

JAN1N6641US Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

JAN1N6641US FAQ

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  • 3. Are the JAN1N6641US price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# V37:1799_16597229

Sensitron Semiconductors

Rectifier Diode Switching 50V 0.3A 5ns Automotive 2-Pin MELF

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# JAN1N6641US

Microchip Technology Inc

Diode Switching 50V 0.3A 2-Pin US - Bag (Alt: JAN1N6641US)

RoHS: Not Compliant
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 1086-20018-ND

Microchip Technology Inc

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Microchip Technology Inc

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JAN1N6641US

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