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JAN1N6643US

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Numero di parte JAN1N6643US
Produttore Microsemi Corporation
Descrizione DIODE GEN PURP 50V 300MA D-MELF
Scheda dati
pacchetto SQ-MELF, D
ECAD
A magazzino 5.584 piece(s)
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Specifiche JAN1N6643US

ProduttoreMicrosemi Corporation
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchettoSQ-MELF, D
ECAD
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/578
Tipo diodoStandard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)50V
Corrente - Rettificato medio (Io)300mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.2V @ 100mA
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)6ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr500nA @ 75V
Capacità @ Vr, F5pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSQ-MELF, D
Pacchetto dispositivo fornitoreD-5D
Temperatura operativa - Giunzione-65°C ~ 175°C

JAN1N6643US Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

JAN1N6643US FAQ

  • 1. How to order JAN1N6643US on Heisener?
    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that JAN1N6643US is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the JAN1N6643US. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including JAN1N6643US on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of JAN1N6643US products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the JAN1N6643US price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6643US

D# VN6:3635_17501453

Microsemi Corporation

Rectifier Diode Switching 50V 0.3A 6ns 2-Pin B-MELF Bag

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6643US

D# JAN1N6643US

Sensitron Semiconductors

Diode Switching 50V 0.3A 2-Pin MELF - Bag (Alt: JAN1N6643US)

RoHS: Not Compliant
0

1N6643USJAN

D# JAN1N6643US

Semtech Corporation

.3A ULTRA FAST 75V - Bulk (Alt: JAN1N6643US)

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6643US

D# JAN1N6643USS-ND

Semtech Corporation

.3A ULTRA FAST 75V

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6643US

Microchip Technology Inc

OEM/CM ONLY

116
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6643US

Microchip Technology Inc

Switching Diode

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6643US

D# MCHP00000059426

Microchip Technology Inc

Switching Diode

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6643US

D# NS-JAN1N6643US

Microsemi Corporation

OEM/CM ONLY

1927
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6643US

VPT Components

Diodes - General Purpose, Power, Switching HI-REL SWITCHING DIODE

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6643US

D# 35314776

Microsemi Corporation

Rectifier Diode Switching 50V 0.3A 6ns 2-Pin B-MELF Bag

RoHS: Not Compliant
0

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