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JANTXV1N5809URS

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JANTXV1N5809URS

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Numero di parte JANTXV1N5809URS
Produttore Microsemi Corporation
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
Scheda dati
pacchetto SQ-MELF, B
ECAD
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Specifiche JANTXV1N5809URS

ProduttoreMicrosemi Corporation
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchettoSQ-MELF, B
ECAD
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/477
Tipo diodoStandard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)100V
Corrente - Rettificato medio (Io)3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If875mV @ 4A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F60pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSQ-MELF, B
Pacchetto dispositivo fornitoreB, SQ-MELF
Temperatura operativa - Giunzione-65°C ~ 175°C

JANTXV1N5809URS Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

JANTXV1N5809URS FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that JANTXV1N5809URS is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the JANTXV1N5809URS. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including JANTXV1N5809URS on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of JANTXV1N5809URS products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# JANTXV1N5809URS

Microchip Technology Inc

Diode Ultra Fast Recovery 100V 3A 2-Pin Case B Bag - Bag (Alt: JANTXV1N5809URS)

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JANTXV1N5809URS

D# 1086-19443-ND

Microchip Technology Inc

DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JANTXV1N5809URS

Microchip Technology Inc

Rectifier

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JANTXV1N5809URS

D# MCHP00000072275

Microchip Technology Inc

Rectifier

0

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