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MRF7S19170HSR3

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MRF7S19170HSR3

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Numero di parte MRF7S19170HSR3
Produttore NXP
Descrizione FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S
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MRF7S19170HSR3 Scheda dati

pacchetto NI-880S
ECAD
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Specifiche MRF7S19170HSR3

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - RF
pacchettoNI-880S
ECAD
Serie-
Transistor TypeLDMOS
Frequenza1.99GHz
Guadagno17.2dB
Voltaggio - Test28V
Valutazione attuale-
Figura di rumore-
Corrente - Test1.4A
Potenza - Uscita50W
Tensione - Rated65V
Pacchetto / casoNI-880S
Pacchetto dispositivo fornitoreNI-880S

Scheda tecnica MRF7S19170HSR3

MRF7S19170HSR3 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that MRF7S19170HSR3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the MRF7S19170HSR3 price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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NXP Semiconductors

Transistor RF FET N-CH 65V 1930MHz to 1990MHz 2-Pin NI-880S T/R - Bulk (Alt: MRF7S19170HSR3)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Freescale Semiconductor

RF POWER TRANSISTOR

0
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D# 2156-MRF7S19170HSR3-ND

Rochester Electronics LLC

RF L BAND, N-CHANNEL

37
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Freescale Semiconductor

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127
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495
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Freescale Semiconductor

OEM/CM ONLY

8351
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RF L Band, N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant
37
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D# 25967928

NXP Semiconductors

Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-880S T/R

RoHS: Compliant
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