Name: MRF8S19260HR6
Brand: NXP
SKU: MRF8S19260HR6
Availability: InStock
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MRF8S19260HR6

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Numero di parte	MRF8S19260HR6
Produttore	NXP
Descrizione	FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230-8
Scheda dati	MRF8S19260HR6 Scheda dati
pacchetto	SOT-1110A
ECAD
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Specifiche MRF8S19260HR6

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - RF
pacchetto	SOT-1110A
ECAD
Serie	-
Transistor Type	LDMOS (Dual)
Frequenza	1.99GHz
Guadagno	18.2dB
Voltaggio - Test	30V
Valutazione attuale	-
Figura di rumore	-
Corrente - Test	1.6A
Potenza - Uscita	74W
Tensione - Rated	65V
Pacchetto / caso	SOT-1110A
Pacchetto dispositivo fornitore	NI1230-8

Scheda tecnica MRF8S19260HR6

MRF8S19260HR6 Packaging

MRF8S19260HR6 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that MRF8S19260HR6 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the MRF8S19260HR6 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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Numero di parte

Produttore

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Azione

MRF8S19260HR6

D# MRF8S19260HR6

NXP Semiconductors

Power LDMOS Transistor N-Channel 30V 74W 8-Pin NI-1230 T/R - Bulk (Alt: MRF8S19260HR6)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

MRF8S19260HR6

Freescale Semiconductor

RF POWER TRANSISTOR

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

MRF8S19260HR6

D# 2156-MRF8S19260HR6-ND

Rochester Electronics LLC

RF 2-ELEMENT, L BAND, N-CHANNEL

134

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MRF8S19260HR6

Rochester Electronics LLC

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MRF8S19260HR6

D# NS-MRF8S19260HR6

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OEM/CM ONLY

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Produttore

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MRF8S19260HR6

Freescale Semiconductor

RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, N-Channel, MOSFET

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134

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

MRF8S19260HR6

Freescale Semiconductor

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