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MRFE6S9130HR3

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Numero di parte MRFE6S9130HR3
Produttore NXP
Descrizione FET RF 66V 880MHZ NI-780
Scheda dati

MRFE6S9130HR3 Scheda dati

pacchetto NI-780
ECAD
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Specifiche MRFE6S9130HR3

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - RF
pacchettoNI-780
ECAD
Serie-
Transistor TypeLDMOS
Frequenza880MHz
Guadagno19.2dB
Voltaggio - Test28V
Valutazione attuale-
Figura di rumore-
Corrente - Test950mA
Potenza - Uscita27W
Tensione - Rated66V
Pacchetto / casoNI-780
Pacchetto dispositivo fornitoreNI-780

Scheda tecnica MRFE6S9130HR3

MRFE6S9130HR3 Packaging

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MRFE6S9130HR3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that MRFE6S9130HR3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the MRFE6S9130HR3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including MRFE6S9130HR3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of MRFE6S9130HR3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the MRFE6S9130HR3 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of MRFE6S9130HR3?
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N/A UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN

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FET RF 66V 880MHZ NI-780

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697
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6614
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RF POWER TRANSISTOR

RoHS: Compliant
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