Name: MRFE6VP6300HSR3
Brand: NXP
SKU: MRFE6VP6300HSR3
Availability: InStock
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MRFE6VP6300HSR3

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Numero di parte	MRFE6VP6300HSR3
Produttore	NXP
Descrizione	FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4
Scheda dati	MRFE6VP6300HSR3 Scheda dati
pacchetto	NI-780S-4
ECAD
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Specifiche MRFE6VP6300HSR3

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - RF
pacchetto	NI-780S-4
ECAD
Serie	-
Transistor Type	LDMOS (Dual)
Frequenza	230MHz
Guadagno	26.5dB
Voltaggio - Test	50V
Valutazione attuale	-
Figura di rumore	-
Corrente - Test	100mA
Potenza - Uscita	300W
Tensione - Rated	130V
Pacchetto / caso	NI-780S-4
Pacchetto dispositivo fornitore	NI-780S-4

Scheda tecnica MRFE6VP6300HSR3

MRFE6VP6300HSR3 Packaging

MRFE6VP6300HSR3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that MRFE6VP6300HSR3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the MRFE6VP6300HSR3 price and inventory displayed accurate?

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5. How is the shipping arranged?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of MRFE6VP6300HSR3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# MRFE6VP6300HSR3

NXP Semiconductors

VHV6 300W50VISM NI780S-4 - Bulk (Alt: MRFE6VP6300HSR3)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

MRFE6VP6300HSR3

Freescale Semiconductor

FET RF N-CH 230MHZ 125V NI780S-4

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

MRFE6VP6300HSR3

D# 2156-MRFE6VP6300HSR3-ND

Rochester Electronics LLC

RF 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUE

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

MRFE6VP6300HSR3

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

Numero di parte

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Descrizione

Azione

MRFE6VP6300HSR3

NXP Semiconductors

OEM/CM Immediate delivery

5880

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Descrizione

Azione

MRFE6VP6300HSR3

D# NS-MRFE6VP6300HSR3

Freescale Semiconductor

OEM/CM ONLY

9565

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

MRFE6VP6300HSR3

Freescale Semiconductor

RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant

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Descrizione

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MRFE6VP6300HSR3

NXP Semiconductors

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