| Numero di parte | PH3855L,115 |
|---|---|
| Produttore | NXP |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 24A LFPAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | SC-100, SOT-669 |
| ECAD |
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| A magazzino | 7.168 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | NXP |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | SC-100, SOT-669 |
| ECAD |
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| Serie | TrenchMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.7nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 765pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 15A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
| Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PH3855L,115 D# PH3855L,115-ND |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH 55V 24A LFPAK56 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PH3855L115 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
1261 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PH3855L-115 D# NS-PH3855L-115 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
2720 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PH3855L.115 |
PHA |
RFQ |
14678 |
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