Name: PH5330E,115
Brand: NXP
SKU: PH5330E-115
Availability: InStock
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PH5330E,115

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Numero di parte	PH5330E,115
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK
Scheda dati
pacchetto	SC-100, SOT-669
ECAD
A magazzino	5.344 piece(s)
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Specifiche PH5330E,115

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SC-100, SOT-669
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2010pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso	SC-100, SOT-669

PH5330E,115 Packaging

PH5330E,115 FAQ

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3. Are the PH5330E,115 price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the PH5330E,115 we delivered, we will accept the replacement or return of the PH5330E,115 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(1)Inform us within 90 days

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