| Numero di parte | PH5525L,115 |
|---|---|
| Produttore | NXP |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | SC-100, SOT-669 |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.264 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | NXP |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | SC-100, SOT-669 |
| ECAD |
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| Serie | TrenchMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 81.7A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.6nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 12V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 25A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
| Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PH5525L,115 D# PH5525L,115-ND |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK56 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PH5525L115 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1770 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PH5525L115 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
1285 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PH5525L-115 D# NS-PH5525L-115 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
1655 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PH5525L115 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
1491 |
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86-755-83210559-827
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