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PHB96NQ03LT,118

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PHB96NQ03LT,118

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte PHB96NQ03LT,118
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK
Scheda dati

PHB96NQ03LT,118 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche PHB96NQ03LT,118

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26.7nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2200pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.95 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica PHB96NQ03LT,118

PHB96NQ03LT,118 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that PHB96NQ03LT,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the PHB96NQ03LT,118 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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