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PHD3055E,118

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PHD3055E,118

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Numero di parte PHD3055E,118
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK
Scheda dati

PHD3055E,118 Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche PHD3055E,118

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds250pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs150 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica PHD3055E,118

PHD3055E,118 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

PHD3055E,118 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that PHD3055E,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the PHD3055E,118. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including PHD3055E,118 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of PHD3055E,118 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the PHD3055E,118 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    (1)Inform us within 90 days
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D# 2156-PHD3055E118-ND

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 Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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 NXP Semiconductors

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 NXP Semiconductors

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